安徽格恩半导体有限公司邓和清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510028570.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光器元件是由邓和清;郑锦坚;蓝家彬;张会康;黄军;蔡鑫;陈婉君;李晓琴;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下限制层与下波导层之间设有设有暗激子共振层，所述暗激子共振层包括第一暗激子共振层、第二暗激子共振层和第三暗激子共振层。本发明所述暗激子共振层的特定电子有效质量分布和折射率分布增强暗激子与光子的强耦合效应，降低激子极化激元的有效质量并提升群速度，增强偶极谐振强度和激子极化激元的非线性作用，增强暗激子极化激元的相干性，减少激光模数，提升光子简并度，提升输出激光相干性，提升光束质量因子。
本发明授权一种半导体激光器元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102）、有源层（103）、上波导层（104）、上限制层（105），其特征在于，所述下限制层（101）与下波导层（102）之间设有暗激子共振层（106）， 所述暗激子共振层（106）为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGaN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、InGaAsN、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、GaSb、InSb、InAs、InAsSb、AlGaSb、AlSb、InGaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、SiC、Ga2O3、BN、金刚石的任意一种或任意组合的一种； 所述暗激子共振层（106）包括第一暗激子共振层（106a）、第二暗激子共振层（106b）和第三暗激子共振层（106c）。
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