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龙图腾网获悉芯辰半导体(苏州)有限公司申请的专利一种高温度适应性VCSEL光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119787089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411987811.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种高温度适应性VCSEL光源是由陈恩生;杨超;王又子;莫敏玲设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高温度适应性VCSEL光源在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器的技术领域，公开了一种高温度适应性VCSEL光源，包括两个并联连接的VCSEL，可分别在低温和高温环境下获得高效率的光输出。其中低温下正常工作的VCSEL室温下有源区材料增益的峰值位于谐振腔模的长波方向；高温下正常工作的VCSEL材料增益的峰值位于腔模的短波方向，从而使其腔模分别在低温和高温下向材料增益峰值移动以获得高的模式增益。两路VCSEL出射的激光通过光纤合束器合为一路，从而使得器件在大的温度变化范围内均可实现稳定的光输出，并且设置温度监测预测层和自适应层，实现了对温度的监测和预测和智能化自适应调整。

本发明授权一种高温度适应性VCSEL光源在权利要求书中公布了：1.一种高温度适应性VCSEL光源，其特征在于，包括： 光线合束器14一端通过光耦入光纤13连接金属电极1，所述金属电极1一端依次设置包括钝化层2、P型DBR反射镜3、氧化层4、多量子阱有源区5、N型DBR反射镜6、N型衬底层7、下金属电极8； 所述氧化层4位于VCSEL驻波场的波节处，高温工作垂直腔面发射激光器的有源区上下两侧分别设置一层氧化层，且下层氧化层的组分含量高于上层氧化层 所述光线合束器14一端平行设置光耦入光纤13连接相位匹配层10； 感应层，通过建立温度模型监测和预测VCSEL光源温度； 数据驱动模型包括数据采集、数据预处理、多层温度预测和预测损失反向优化； 数据采集用于接收不同工作状态下VCSEL光源内部的温度分布数据； 数据预处理包括数据清洗，并归一化处理； 多层温度预测包括多层感知结构，设输入层有n个VCSEL光源内部的温度特征节点，隐藏层有L层，第z层隐藏层节点数为dz，其中z＝1,2,3,...，输出层有k个节点； 随机初始化各层之间的连接权重矩阵W和偏置向量b，对于第z层与第z+1层之间的连接，权重矩阵W维度为dz+1×dz，偏置向量bz维度为dz+1×z； 通过计算VCSEL光源内部的温度分布数据进行核运算，进一步对VCSEL光源内部的温度分布数据进行预测，核运算表达式如下所示： T1＝fWz-1Y+bz-1 其中，T1为VCSEL光源内部的温度分布数据预测值，f～为激活函数，Y为VCSEL光源内部的每层温度实时数据，b为偏置量，Wz-1为隐藏层z-1层的权重，bz-1为隐藏层z-1层的偏置量； 通过多层温度预测过程对整个VCSEL光源内部的温度分布数据集进行计算，获取预测输出多层温度矩阵，其维度与目标温度值矩阵相同，每一行对应一个样本的预测温度值向量； 自适应层，通过温度分层自适应调整VCSEL光源强度。

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