中国人民解放军国防科技大学王日品获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119906389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411988636.1，技术领域涉及：H03K3/53；该发明授权一种基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统是由王日品;王朗宁;荀涛;何婷;李博涵;刘宇宸设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统在说明书摘要公布了：一种基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统，电流分流器连接在同轴射频腔体上，同轴渐变电极设置在同轴射频腔体内并且与电流分流器的末端连接，同轴电容模组朝向同轴射频腔体一侧的端面与同轴射频腔体连接，光导半导体封装组件位于同轴电容模组的内环内并且光导半导体封装组件的一端与同轴渐变电极连接、另一端连接高压光纤馈入端帽，同轴高压环连接在同轴电容模组的高压端面上，碳膜负载电阻的一个引脚连接在同轴高压环上、另一个引脚连接在高压光纤馈入端帽上，同轴高压环通过电缆连接有直流高压或脉冲高压。本发明的基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统是一种能够产生kA级大电流、高功率、低杂散参数的同轴射频链路系统。
本发明授权一种基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统在权利要求书中公布了：1.一种基于光导半导体产生大电流的同轴高压脉冲链路系统，其特征在于：包括同轴射频腔体、同轴电容模组、同轴高压环、光导半导体封装组件、同轴渐变电极、电流分流器、碳膜负载电阻和高压光纤馈入端帽；所述电流分流器连接在同轴射频腔体上，所述同轴渐变电极设置在同轴射频腔体内并且与电流分流器的末端连接，所述同轴电容模组朝向同轴射频腔体一侧的端面与同轴射频腔体连接，所述光导半导体封装组件位于同轴电容模组的内环内并且光导半导体封装组件的一端与同轴渐变电极连接、另一端连接高压光纤馈入端帽，所述同轴高压环连接在同轴电容模组的高压端面上，所述碳膜负载电阻的一个引脚连接在同轴高压环上、另一个引脚连接在高压光纤馈入端帽上，同轴高压环通过电缆连接有直流高压或脉冲高压；所述同轴射频腔体、同轴电容模组、同轴渐变电极和同轴高压环的中心位于同一轴心线上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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