吉林大学王金鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种SiCf/Ti3Al复合材料残余应力调控和优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411844379.4，技术领域涉及：C22C47/04；该发明授权一种SiCf/Ti3Al复合材料残余应力调控和优化方法是由王金鹏;文懋;赵晨;齐金磊;王宁;庞昊鹏;冯泽邦;张侃;郑伟涛设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiCf/Ti3Al复合材料残余应力调控和优化方法在说明书摘要公布了：本发明属于金属基复合材料技术领域，具体涉及一种SiCfTi3Al复合材料残余应力调控和优化方法。本发明在SiC纤维表面引入界面应力释放层，显著改善了SiC纤维与Ti3Al基体之间的界面适配性，有效降低了界面处因热膨胀系数差异而诱发的残余应力；在Ti3Al基体中交替引入具有较高塑性的基体应力释放层，构建了叠层结构，能够有效释放SiCTi3Al复合材料的残余应力，防止材料在服役过程中因应力累积而失效。采用本发明提供的SiCTi3Al先驱丝制备复合材料能够实现残余应力调控和优化，有效解决高残余应力的问题，提高材料加工及服役过程中的稳定性，对SiCTi3Al复合材料的应用研究具有重要意义。
本发明授权一种SiCf/Ti3Al复合材料残余应力调控和优化方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCfTi3Al复合材料残余应力调控和优化方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在氩气条件下对含碳涂层的SiC纤维进行离子清洗，得到预处理SiC纤维； 2以Mo为溅射靶材，在氩气条件下对所述预处理SiC纤维进行磁控溅射，得到沉积Mo界面应力释放层的SiC纤维； 3以Ti3Al合金和Ti2AlNb合金为溅射靶材，在氩气条件下对所述沉积Mo界面应力释放层的SiC纤维进行磁控溅射，在所述沉积Mo界面应力释放层的SiC纤维的表面交替沉积Ti3Al基体层和Ti2AlNb基体应力释放层，得到SiCfTi3Al复合材料先驱丝； 4将所述先驱丝均匀排布，进行热等静压成型，得到残余应力调控和优化后的SiCfTi3Al复合材料。
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