哈尔滨工业大学严强获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119569464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782212.X，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法是由严强;陈鑫昊;郭政佑;高博;杨强;李金平;孟松鹤设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法，属于高性能陶瓷材料技术领域，该非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法包括：将聚硼硅氮烷进行固化后，经粉碎、球磨、真空热解，得到非晶SiBCN陶瓷粉体；将所述非晶SiBCN陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到非晶态SiBCN陶瓷块体。本发明提供非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法可以制得具有高密度、低孔隙缺陷、尺寸可调、收缩率小和优异抗氧化性能的非晶SiBCN陶瓷块体，可有效解决传统SiBCN陶瓷块体制备过程中材料尺寸受限、孔隙多等问题。
本发明授权一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 将聚硼硅氮烷进行固化后，经粉碎、球磨、真空热解，得到非晶SiBCN陶瓷粉体；所述真空热解的温度为1000~1400℃，时间为2~6h； 将所述非晶SiBCN陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到非晶态SiBCN陶瓷块体；所述放电等离子烧结在惰性气氛下进行，烧结温度为1400~1600℃，烧结压力为30~60MPa，烧结时间为3~15min。
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