北京天科合达半导体股份有限公司沈鹏远获国家专利权
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龙图腾网获悉北京天科合达半导体股份有限公司申请的专利碳化硅外延生长加工装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223357829U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422860017.6，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型碳化硅外延生长加工装置是由沈鹏远;郭钰;刘春俊;张博;彭同华;杨建设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅外延生长加工装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种碳化硅外延生长加工装置，包括相互连接的下半月组件、上半月组件以及旋转载盘，所述下半月组件水平布置，且所述下半月组件的顶面上设置有上游涂层组件，其特征在于，所述上游涂层组件包括沿垂直于工艺气体的输送方向对位拼装适配的第一盖片和第二盖片；所述第一盖片朝向所述第二盖片的外壁上形成第一拼装面，所述第二盖片朝向所述第一盖片的外壁上形成第二拼装面，所述第一拼装面与所述第二拼装面对位布置并平行适配，且所述第一拼装面的延展方向为第一方向，所述第一盖片与所述第二盖片的拼装方向为第二方向，所述第一方向与所述第二方向的夹角为锐角。
本实用新型碳化硅外延生长加工装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延生长加工装置，包括相互连接的下半月组件、上半月组件以及旋转载盘，所述下半月组件水平布置，且所述下半月组件的顶面上设置有上游涂层组件，其特征在于，所述上游涂层组件包括沿垂直于工艺气体的输送方向对位拼装适配的第一盖片和第二盖片； 所述第一盖片朝向所述第二盖片的外壁上形成第一拼装面，所述第二盖片朝向所述第一盖片的外壁上形成第二拼装面，所述第一拼装面与所述第二拼装面对位布置并平行适配，且所述第一拼装面的延展方向为第一方向，所述第一盖片与所述第二盖片的拼装方向为第二方向，所述第一方向与所述第二方向的夹角为锐角。
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