武汉衷华脑机融合科技发展有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衷华脑机融合科技发展有限公司申请的专利ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法、装置及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119587037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411637699.2,技术领域涉及:A61B5/293;该发明授权ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法、装置及设备是由黄立;黄晟;姚娜;倪常茂;李昊;高兆龙;付国亭设计研发完成,并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法、装置及设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法、装置及设备,涉及医疗技术辅助领域,该方法包括对ECoG电极进行阻抗测试及参数测试,并采集ECoG电极各通道信号以实现信号分析;基于信号分析结果和测试结果,进行目标ECoG电极的性能状态评估;基于信号分析结果确定目标ECoG电极的硬件问题,并实现参数优化。本申请能够对电极状态进行评估及问题追溯,还可计算得到理论上的电极最佳参数搭配。
本发明授权ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法、装置及设备在权利要求书中公布了:1.一种ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法,其特征在于,所述ECoG电极性能监测和硬件参数优化方法包括: 对ECoG电极进行阻抗测试及参数测试,并采集ECoG电极各通道信号以实现信号分析; 基于信号分析结果和测试结果,进行目标ECoG电极的性能状态评估; 基于信号分析结果确定目标ECoG电极的硬件问题,并实现参数优化; 其中,所述阻抗测试为对ECoG电极的各个通道均进行阻抗测试,得到阻抗测试结果: 其中,表示ECoG电极的阻抗测试结果,表示ECoG电极的第行第列触点的阻抗,且ECoG电极的每一个触点均为一个通道,且为ECoG电极触点的总行数,为ECoG电极触点的总列数,表示ECoG电极的第行第列触点的阻抗; 所述参数测试为ECoG电极的尺寸参数测试,包括触点尺寸、触点行间距、触点列间距、触点分布面积,尺寸参数测试结果为。
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