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成都理工大学黄煜壅获国家专利权

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龙图腾网获悉成都理工大学申请的专利一种锂电池充放电管理系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223363868U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422650942.6,技术领域涉及:H02J7/00;该实用新型一种锂电池充放电管理系统是由黄煜壅;吴明江;胡云斌;周超;顾民;罗勇设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

一种锂电池充放电管理系统在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种锂电池充放电管理系统,包括:输入单元、DC‑DC转换器电路、充电保护电路、放电保护电路、温湿度监测模块、MCU处理器以及动态负载;所述输入单元用于提供电源,所述充电保护电路与所述输入单元连接,所述放电保护电路与所述DC‑DC转换器电路连接,所述放电保护电路还与所述MCU处理器连接,所述DC‑DC转换器电路与所述MCU处理器连接,所述充电保护电路与所述MCU处理器连接。本申请能够实时监控锂电池的工作状态,并通过充电保护和放电保护电路有效管理电池的充放电过程。

本实用新型一种锂电池充放电管理系统在权利要求书中公布了:1.一种锂电池充放电管理系统,其特征在于,包括:输入单元、DC-DC转换器电路、充电保护电路、放电保护电路、温湿度监测模块、MCU处理器以及动态负载;所述输入单元用于提供电源,所述充电保护电路与所述输入单元连接,所述放电保护电路与所述DC-DC转换器电路连接,所述放电保护电路还与所述MCU处理器连接,所述DC-DC转换器电路与所述MCU处理器连接,所述充电保护电路与所述MCU处理器连接; 所述充电保护电路由直流电源DC、电压检测芯片GC1、TVS二极管TVS1、锂电池BT、电容C5、电容C6、电容C7、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、PMOS管Q1、NMOS管Q2、NMOS管Q3和二极管TD1组成,所述直流电源DC的正极通过二极管TD1连接到PMOS管Q1的源极,PMOS管Q1的漏极连接到锂电池BT的正极,PMOS管Q1的栅极连接到NMOS管Q2的漏极,所述电压检测芯片GC1的地线端连接到锂电池BT的负极,所述电压检测芯片GC1的输出端通过电阻R8连接到NMOS管Q3的栅极,NMOS管Q2和NMOS管Q3共同构成双NMOS结构,所述NMOS管Q2和NMOS管Q3的源极均接地,所述TVS二极管TVS1并联在锂电池BT的正负极之间,所述TVS二极管TVS1的正极连接锂电池BT的正极,所述TVS二极管TVS1的负极连接锂电池BT的负极,电阻R5连接于输入单元DC正极与NMOS管Q2的栅极之间,电阻R6连接于直流电源DC正极与NMOS管Q2的漏极之间,电阻R7连接于直流电源DC负极与NMOS管Q3的栅极之间,电容C5、电容C6和电容C7并联在锂电池BT的正负极之间,所述直流电源DC的负极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都理工大学,其通讯地址为:610059 四川省成都市二仙桥东三路1号成都理工大学;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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