中国科学院上海微系统与信息技术研究所林志荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利超导量子芯片封装结构及超导量子芯片的倒装封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119365062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411469492.9，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权超导量子芯片封装结构及超导量子芯片的倒装封装方法是由林志荣;安桓辰;李丽;刘匡设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导量子芯片封装结构及超导量子芯片的倒装封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超导量子芯片封装结构及超导量子芯片的倒装封装方法，通过使用具有高分辨率、高纵横比等特性的SU‑8光刻胶，将该光刻胶作为支撑结构，实现了超导量子芯片的倒装封装。相比于现有技术而言，该倒装封装方法既可以根据不同的电路布线层结构实现对支撑结构的个性化设计，更加有利于超导量子芯片的大规模集成，且在操作过程中无需手动操作，具有较高的机械化程度，能够显著提高超导量子芯片倒装芯片封装效率，从而降低超导量子芯片的制造成本，且在进行倒装封装是无需在器件周围预留倒装操作的空间，从而能够实现在4*4mm或更小尺寸的超导量子芯片上进行倒装封装的工艺，更加有利于超导量子芯片的大规模集成。
本发明授权超导量子芯片封装结构及超导量子芯片的倒装封装方法在权利要求书中公布了：1.一种超导量子芯片的倒装封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体晶圆，包括相对设置的第一面及第二面，所述半导体晶圆的第一面形成有电路布线层； 在所述半导体晶圆的第一面涂覆负性光刻胶以形成第一光刻胶层； 对所述第一光刻胶层进行前烘处理，然后进行曝光处理，使所述第一光刻胶层划分为曝光区域和非曝光区域，将经过所述曝光处理后的所述第一光刻胶层进行烘烤处理，使所述曝光区域的光刻胶材料产生交联反应，对所述半导体晶圆进行显影操作，以得到对应所述曝光区域的支撑结构； 于所述支撑结构以及其它没有电路布线层的区域再次涂覆负性光刻胶以形成第二光刻胶层并对所述半导体晶圆进行切片以获得超导量子芯片，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层以及所述支撑结构的材料相同且均是SU-8光刻胶； 将第二芯片与所述超导量子芯片键合，从而实现对所述超导量子芯片的倒装封装。
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