台湾积体电路制造股份有限公司赖柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364476U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422448147.9，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体结构是由赖柏宇;杨崇巽;李威养;王志庆设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构。根据本实用新型，半导体结构包含了基板；第一基底鳍片及第二基底鳍片自基板升起；隔离部件设置于基板上方且位于第一基底鳍片与第二基底鳍片之间；第一底部外延部件于第一基底鳍片上方；第二底部外延部件于第二基底鳍片上方；隔离层于第一底部外延部件上；第一源极漏极部件于隔离层上方；第二源极漏极部件设置于第二底部外延部件上方且与之接触；接触蚀刻停止层于第一源极漏极部件及隔离部件上方；第一层间介电层于接触蚀刻停止层上方；以及第二层间介电层于第二源极漏极部件上方且与之接触。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基板； 一第一基底鳍片及一第二基底鳍片，自该基板升起； 一隔离部件，设置于该基板上方且位于该第一基底鳍片与该第二基底鳍片之间； 一第一底部外延部件，于该第一基底鳍片上方； 一第二底部外延部件，于该第二基底鳍片上方； 一隔离层，于该第一底部外延部件上； 一第一源极漏极部件，于该隔离层上方； 一第二源极漏极部件，设置于该第二底部外延部件上方且与该第二底部外延部件接触； 一接触蚀刻停止层，于该第一源极漏极部件及该隔离部件上方； 一第一层间介电层，于该接触蚀刻停止层上方；以及 一第二层间介电层，于该第二源极漏极部件上方且与该第二源极漏极部件接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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