台湾积体电路制造股份有限公司江振豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364493U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422448174.6，技术领域涉及：H10F77/40；该实用新型半导体装置是由江振豪;张立文;吴俊毅;余振华设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括光电二极管，包括沿第一水平方向横向延伸的锗材料部分、p型掺杂硅部分和n型掺杂硅部分；以及分散式布拉格反射器，包括单元层堆叠的多个周期性重复，单元层堆叠包括第一材料层和第二材料层，其中分散式布拉格反射器内的材料层的垂直延伸部分之间的界面垂直于第一水平方向，并且其中分散式布拉格反射器接触锗材料部分。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一光电二极管，包括沿一第一水平方向横向延伸的一锗材料部分、一p型掺杂硅部分、以及一n型掺杂硅部分；以及 一分散式布拉格反射器，包括一单元层堆叠的多个周期性重复，该单元层堆叠包括一第一材料层和一第二材料层，其中该分散式布拉格反射器内的材料层的多个垂直延伸部分之间的多个界面垂直于该第一水平方向，并且其中该分散式布拉格反射器接触该锗材料部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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