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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利高压功率模块的局部电场测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119104852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411399240.3，技术领域涉及：G01R31/12；该发明授权高压功率模块的局部电场测试方法是由陈萌;王亚林;范路;尹毅设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压功率模块的局部电场测试方法在说明书摘要公布了：一种高压功率模块的局部电场测试方法，通过采集功率模块封装绝缘的表面电位分布后，经中心差分处理得到表面电场强度，再结合二阶全变差正则化算法反演出界面电场的分布。本发明通过非介入式静电探头测量功率模块封装绝缘表面电位分布，结合二阶全变差正则化反演算法，测量陶瓷板与灌封胶构成界面电场分布，实现在复杂结构下的局部电场分布的有效检测。

本发明授权高压功率模块的局部电场测试方法在权利要求书中公布了：1.一种高压功率模块的局部电场测试方法，其特征在于，通过采集功率模块封装绝缘的表面电位分布后，经中心差分处理得到表面电场强度，再结合二阶全变差正则化算法反演出界面电场的分布； 所述的二阶全变差正则化算法，具体包括： 步骤1根据静电场理论，对于位于表面S1的任意点p及其在界面S2上相对应的点q建立表面电场与界面电场模型，其中：i,j为点p和点q对应所在平面二维坐标，和分别为界面电场和表面电场在点i,j处的电场模值，对应的表面电场和界面电场，d为表面S1与界面S2间绝缘厚度，ε为材料介电常数，qk为绝缘内的第k个单元的体电荷密度，m为绝缘内电荷单元总数，Rk为qk所在点与点p的距离，θk为qk所在点和点p的连线，与平面切向量所成夹角，为从qk所在点指向点i,j的单位向量； 步骤2将二维的表面电场与界面电场模型转换为一维：根据表面电场强度分布，得到电场强度最大值所在位置i=a，j=b，进一步得到包含最大电场强度的一维数组Es1[n]，n为一维数组长度； 步骤3构造目标函数，其中：Mx,x’为描述表面电场与界面电场传递关系的核函数，x为表面电场坐标，x’为界面电场坐标，λ为正则化参数，TV2ES2x为二阶全变差正则化项，将该问题转换为频域求解，并离散化后得到，其中：Es1[k]和ES2[k]为离散化一维表面电场和界面电场分布，M[k]为离散化一维核函数或离散化传递数组，再采用梯度下降法优化目标函数，参数更新为：，其中：为第t+1次迭代的界面电场估计值，为第t次迭代的界面电场估计值，αt为迭代步长，dt为目标函数对于ES2[k]的梯度； 步骤4迭代优化得到频域上的界面电场ES2[k]后，通过逆傅里叶变换至时域，最终得到界面电场分布。

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