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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411370422.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法是由杨克伟;尤翠萍;曲晓东;江土堆;赵斌;罗桂兰;陈凯轩设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法，其中，高可靠性的通孔型垂直LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层；其中，外延叠层朝向导电基板的一侧设有显露有源区部分表面的沟道，绝缘结构设置于外延叠层朝向导电基板的一侧，并覆盖沟道、集成金属层及外延叠层的裸露面，通过绝缘结构对沟道进行绝缘，可避免LED芯片在形成切割道时侧壁直接裸露PN结被短路造成侧壁漏电的风险，进而提高LED芯片可靠性和稳定性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。

本发明授权一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片，其特征在于，包括： 导电基板； 设置于所述导电基板一侧的金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，其中，所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧设有显露所述有源区部分表面的沟道； 在各所述沟道之间的所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧设有显露所述第一型半导体层部分表面的凹槽，所述第一方向垂直于所述导电基板，并由所述导电基板指向所述外延叠层； 所述欧姆反射层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面； 所述集成金属层覆盖所述欧姆反射层的裸露面，且所述集成金属层朝向所述外延叠层的一侧具有裸露面以用于外部电连接； 所述绝缘结构设置于所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧，并覆盖所述沟道、所述集成金属层及所述外延叠层的裸露面，且延伸至所述凹槽的侧壁；图形化所述绝缘结构形成裸露所述凹槽的部分底部的第一通孔； 所述金属键合层层叠于所述绝缘结构背离所述外延叠层的一侧表面，并填充所述第一通孔与所述第一型半导体层形成电连接；所述导电基板层叠于所述金属键合层背离所述外延叠层的一侧表面； 且，位于所述沟道的绝缘结构在背离所述导电基板的一侧表面具有用于作为切割道的裸露面，所述外延叠层通过所述切割道形成相互间隔排布的若干个子外延叠层； 其中，所述绝缘结构包括介质膜层和绝缘保护层，在所述凹槽和所述沟道的转角处的介质膜层表面设置缓冲金属，且所述缓冲金属通过所述绝缘保护层与所述集成金属层、所述金属键合层间隔设置。

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