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龙图腾网获悉科睿斯半导体科技(东阳)有限公司申请的专利一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118921845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410139685.1，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法是由陈又铭;曾渊钿;汪伟光设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于电路板制作领域，尤其涉及一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法。本发明提供的嵌埋式基板在基材层阶段中埋入腔体的制作方法，不同以往的钻孔作业方式只能施作圆形内埋腔体，Plasma设备的作用于ABF介质材料可作业出不同大小及形状的内埋腔体，且厚度的控制比激光或机械钻孔更有效控制。此外，本发明还克服了现有的基材层难以制作内埋线路走线，本发明提供一种在基材层制作内埋线路的方法，且内埋线路宽度及厚度更好控制。

本发明授权一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： P1、选取含上贴附铜层和下贴附铜层的BT基板作为基材层，去除所述基材层表面的上贴附铜层和下贴附铜层； P2、在所述基材层上开设通孔，在所述通孔上制作树脂塞孔； P3、在所述基材层的上表面和下表面上分别制作第一金属铜层； P4、在所述第一金属铜层上开窗，在所述开窗处对应的基材层上开设内埋腔体； P5、将磁性材料组件置于所述内埋腔体中并进行固定； P6、去除所述基材层上表面和下表面的第一金属铜层，在所述基材层表面贴附第一ABF，将所述第一ABF压入所述内埋腔体和所述基材层表面； P7、在所述第一ABF上设置第二金属铜层，在所述第二金属铜层上开窗； P8、在所述开窗处对应的第一ABF和基材层上开设内埋线路腔体； P9、去除第二金属铜层，在所述第一ABF和内埋线路腔体表面设置第三金属铜层； P10、将所述第三金属铜层加厚，直至填满所述内埋线路腔体； P11、去除第三金属铜层和第一ABF，形成内埋线路； P12、在所述基材层表面贴附第二ABF，在所述第二ABF上设置第四金属铜层，在所述第四金属铜层上制作线路开窗； P13、在所述线路开窗处开设导通盲孔，所述导通盲孔贯穿所述第二ABF与所述内埋线路连接； P14、在所述导通盲孔处制作内埋线路槽体，去除第四金属铜层； P15、在所述第二ABF和所述内埋线路槽体表面设置第四电镀铜层，将所述内埋线路槽体填满并增厚第四电镀铜层，形成外层线路增层； P16、去除第四电镀铜层，具体的，包括透过CMP工艺刷除上下表面的电镀铜，形成外层内埋线路。

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