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龙图腾网获悉南京大学申请的专利运用瞬时单粒子翻转自恢复技术的半导体器件加工方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119156098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411360194.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权运用瞬时单粒子翻转自恢复技术的半导体器件加工方法和半导体器件是由朱马光;李占琪;许文良;刘如海;赵梓鸿;徐永健设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本运用瞬时单粒子翻转自恢复技术的半导体器件加工方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种运用瞬时单粒子翻转自恢复技术的半导体器件加工方法和半导体器件，该方法包括将预定比例的碳纳米管和分散剂放入到甲苯中，使用分散器在分散预定时间，得到分散的溶液；将分散的溶液进行至少2次离心操作，得到碳纳米管溶液；将碳纳米管溶液用甲苯稀释，在稀释后的碳纳米管溶液中放入衬底，浸泡并烘烤，得到碳纳米管薄膜；通过电子束光刻技术构建碳纳米管场效应晶体管；依序对碳纳米管场效应晶体管进行单粒子辐照和脉冲激光辐照，形成电荷光斑。本发明提升了器件的抗辐照特性，能够满足在复杂辐射环境下对于器件性能稳定的要求。

本发明授权运用瞬时单粒子翻转自恢复技术的半导体器件加工方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.运用瞬时单粒子翻转自恢复技术的半导体器件加工方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将预定比例的碳纳米管和分散剂放入到甲苯中，使用分散器在功率P下分散预定时间，得到分散的溶液； S2、将分散的溶液在离心力G下进行至少2次离心操作，得到碳纳米管溶液； S3、将碳纳米管溶液用甲苯稀释至少十倍，在稀释后的碳纳米管溶液中放入衬底，浸泡时间t1，将浸泡后的衬底用甲苯冲洗时间t2，用氮气吹扫冲洗后的衬底，并将其置于温度C的空气中烘烤时间t3，得到碳纳米管薄膜； S4、基于碳纳米管薄膜和快速频响的栅介质，通过电子束光刻技术构建局部底栅窗，然后将稀释后的碳纳米管溶液沉积下来并蚀刻形成碳纳米管场效应晶体管的通道，使用电子束光刻技术构建有源通道区域并蚀刻形成碳纳米管场效应晶体管的有源通道；在有源通道构建顶栅窗；对有源通道的两端进行图案化形成源极和漏极，得到源极和漏极的P型触点； S5、依序对碳纳米管场效应晶体管进行单粒子辐照和脉冲激光辐照，使用至少100倍的显微镜物镜聚焦脉冲激光束，在碳纳米管场效应晶体管上形成电荷光斑。

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