拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司许铁柱获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利半导体反应腔以及半导体工艺设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223363106U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422048902.4，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型半导体反应腔以及半导体工艺设备是由许铁柱;李丹设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体反应腔以及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了半导体反应腔以及半导体工艺设备。半导体反应腔包括气体供应端和气体分配通道。气体供应端设置在反应腔的侧壁的外侧上并与远端等离子体源连通。气体供应端的第一气体供应口的位置高于第二气体供应口的位置。气体分配通道围绕反应腔侧壁内侧设置。气体分配通道包括多组气体分流口以及通气端。第一组气体分流口的位置高于第二组气体分流口的位置。第一组气体分流口的位置对应反应腔内的喷淋板位置设置，第二组气体分流口的位置对应反应腔内的加热盘位置设置。通气端至少包括第一通气口和第二通气口。第一通气口与第一气体供应口连通，第二通气口与第二气体供应口连通。
本实用新型半导体反应腔以及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体反应腔，其特征在于，包括： 气体供应端，设置在所述半导体反应腔的侧壁的外侧上，并与一远端等离子体源连通，其中，所述气体供应端至少包括第一气体供应口和第二气体供应口，所述第一气体供应口的位置高于所述第二气体供应口的位置； 气体分配通道，围绕所述半导体反应腔的侧壁的内侧设置，所述气体分配通道包括： 设置在所述气体分配通道的内径侧的多组气体分流口，所述多组气体分流口至少包括第一组气体分流口和第二组气体分流口，所述第一组气体分流口的位置高于所述第二组气体分流口的位置；所述第一组气体分流口的位置对应所述半导体反应腔内的喷淋板位置设置，所述第二组气体分流口的位置对应所述半导体反应腔内的加热盘位置设置； 设置在所述气体分配通道的外径侧的通气端，所述通气端至少包括第一通气口和第二通气口，所述第一通气口与所述第一气体供应口连通，所述第二通气口与所述第二气体供应口连通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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