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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410999574.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法是由张鹏;雷文波;杨凌;宓珉翰;祝杰杰;马晓华设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自对准栅极GaNHEMT器件的制备方法，包括：提供一晶圆；在晶圆表面形成第一再生长区域和第二再生长区域；利用中间区域的氮化硅层作为掩膜，使用刻蚀液对中间区域的二氧化硅层的两侧进行腐蚀，使得氮化硅层和二氧化硅层形成T型结构；在第一N+GaN层上制备源电极，在第二N+GaN层上制备漏电极；在第一区域、中间区域和第二区域沉积氮化硅介质层，并进行抛光，以平坦化器件上表面，并暴露出中间区域的二氧化硅层；将中间区域的二氧化硅层腐蚀掉，形成凹槽，在凹槽内制备栅电极；利用栅电极作为掩膜，刻蚀器件的第一区域和第二区域的氮化硅介质层，以暴露出源电极和漏电极。本发明能够提高GaNHEMT器件的性能。

本发明授权一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准栅极GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一晶圆，所述晶圆包括依次层叠设置的衬底、氮化镓层、势垒层、二氧化硅层和氮化硅层； 将器件的第一区域和第二区域的所述氮化硅层、所述二氧化硅层、所述势垒层，以及至少部分所述氮化镓层刻蚀掉，分别形成第一再生长区域和第二再生长区域； 利用器件的中间区域的所述氮化硅层作为掩膜，使用刻蚀液对器件的中间区域的所述二氧化硅层的两侧进行腐蚀，使得器件的中间区域中的所述氮化硅层和所述二氧化硅层形成T型结构； 在器件的第一区域、中间区域和第二区域生长N+GaN，在所述第一再生长区域形成第一N+GaN层，在所述第二再生长区域形成第二N+GaN层，在所述氮化硅层上形成多晶GaN层；在所述第一N+GaN层上制备源电极，在所述第二N+GaN层上制备漏电极； 在器件的第一区域、中间区域和第二区域沉积氮化硅介质层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述多晶GaN层，并将器件的第一区域、中间区域和第二区域进行抛光，以平坦化器件的第一区域、中间区域和第二区域的上表面，并暴露出器件的中间区域的所述二氧化硅层； 将器件的中间区域的所述二氧化硅层腐蚀掉，形成凹槽，在所述凹槽内、以及器件的第一区域的氮化硅介质层和第二区域的氮化硅介质层上表面制备栅电极； 利用所述栅电极作为掩膜，刻蚀器件的第一区域的氮化硅介质层和第二区域的氮化硅介质层，以暴露出所述源电极和所述漏电极； 其中，器件的中间区域位于第一区域与第二区域之间。

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