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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410975620.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法是由芦浩;侯斌;陈龙;马晓华;张濛;杨凌;邓龙格;郝跃设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法，该阵列包括若干纵向分布的第一纳米柱结构；相邻第一纳米柱结构之间填充有绝缘介质；每个第一纳米柱结构：包括第一势垒层的第一N型外延结构；位于第一N型外延结构上方的包括第二沟道层的第一P型外延结构；第一源极呈环状包围第一势垒层，第二源极呈环状包围第二沟道层；第一栅极和第二栅极分别位于第一势垒层、第二势垒层表面，第一、第二栅极通过互联金属实现共栅极；第一漏极和第二漏极分别位于第一势垒层、第二势垒层表面，第一漏极与第一栅极、第二漏极与第二栅极之间填充有绝缘介质，第一、第二漏极通过互联金属实现共漏极。本发明提升了氮化物半导体CMOS阵列集成度。

本发明授权一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多模态的氮化物半导体CMOS阵列，其特征在于，所述阵列包括若干纵向分布的纳米柱结构；相邻纵向分布的纳米柱结构之间填充有绝缘介质；其中， 每个纵向分布的纳米柱结构包括： 第一N型外延结构，位于衬底层上；第一N型外延结构自底向上包括第一背势垒层、第一沟道层和第一势垒层； 第一P型外延结构，位于第一N型外延结构的上方，第一N型外延结构和第一P型外延结构通过绝缘介质隔离开；第一P型外延结构自底向上包括第二势垒层和第二沟道层； 第一源极和第二源极，第一源极位于第一势垒层的侧面，且呈环状包围第一势垒层，第二源极位于第二沟道层的侧面，且呈环状包围第二沟道层； 第一栅极和第二栅极，均包括T型分布的电极连接部分和电极主体部分，第一栅极的电极连接部分位于第一势垒层一端的表面，第一栅极的电极主体部分位于第一势垒层的上方且与第一势垒层之间填充有绝缘介质，第二栅极的电极连接部分位于与第一栅极同侧的第二沟道层一端的表面，第二栅极的电极主体部分位于第二沟道层的上方且与第二沟道层之间填充有绝缘介质，第一栅极和第二栅极的电极主体部分通过互联金属连接实现共栅极； 第一漏极和第二漏极，均包括T型分布的电极连接部分和电极主体部分，第一漏极的电极连接部分位于第一势垒层另一端的表面，第一漏极的电极主体部分位于第一栅极的上方且与第一栅极和第一势垒层之间填充有绝缘介质，第二漏极的电极连接部分位于第二沟道层另一端的表面，第二漏极的电极主体部分位于第二栅极的上方且与第二栅极和第二沟道层之间填充有绝缘介质，第一漏极和第二漏极的电极主体部分通过互联金属连接实现共漏极。

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