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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于光致超快超短电子脉冲的高频辐射源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119009657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410959750.5，技术领域涉及：H01S4/00；该发明授权一种基于光致超快超短电子脉冲的高频辐射源是由沈岩;韩东;邓少芝;陈焕君;许宁生设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光致超快超短电子脉冲的高频辐射源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光致超快超短电子脉冲的高频辐射源。该辐射源由阴极结构11、第一绝缘陶瓷片32、栅极结构12、第二绝缘陶瓷片33、聚焦极结构13、第三绝缘陶瓷片34、阳极结构14、第四绝缘陶瓷片35、输出段组件20、第五绝缘陶瓷片36、收集极结构15依次设置且中心处均设置有通孔，小型超快激光器50设置在收集极结构15的另一侧；小型超快激光器50产生激光通过通孔照射在纳米冷阴极111表面，纳米冷阴极111表面产生超快超短电子脉冲传输至输出段组件20生成电磁波。本发明公开的辐射源结构简单、体积小、稳定性好、成本低。

本发明授权一种基于光致超快超短电子脉冲的高频辐射源在权利要求书中公布了：1.一种基于光致超快超短电子脉冲的高频辐射源，其特征在于，包括：阴极结构11、栅极结构12、聚焦极结构13、阳极结构14、输出段组件20、第一绝缘陶瓷片32、第二绝缘陶瓷片33、第三绝缘陶瓷片34、第四绝缘陶瓷片35、第五绝缘陶瓷片36、电极线40、小型超快激光器50、收集极结构15、绝缘陶瓷外壳31； 所述阴极结构11、所述栅极结构12、所述聚焦极结构13、所述阳极结构14、所述输出段组件20、所述第一绝缘陶瓷片32、所述第二绝缘陶瓷片33、所述第三绝缘陶瓷片34、所述第四绝缘陶瓷片35、所述第五绝缘陶瓷片36、所述电极线40、所述收集极结构15均位于绝缘陶瓷外壳31内部； 所述阴极结构11、所述第一绝缘陶瓷片32、所述栅极结构12、所述第二绝缘陶瓷片33、所述聚焦极结构13、所述第三绝缘陶瓷片34、所述阳极结构14、所述第四绝缘陶瓷片35、所述输出段组件20、所述第五绝缘陶瓷片36、所述收集极结构15依次设置，所述小型超快激光器50设置在所述收集极结构15的另一侧； 所述第一绝缘陶瓷片32、所述栅极结构12、所述第二绝缘陶瓷片33、所述聚焦极结构13、所述第三绝缘陶瓷片34、所述阳极结构14、所述第四绝缘陶瓷片35、所述输出段组件20、所述第五绝缘陶瓷片36中心处均设置有通孔，且通孔位于同一水平线上； 所述阴极结构11与所述第一绝缘陶瓷片32相接触的面的中心处设置纳米冷阴极111；所述纳米冷阴极111与通孔位于同一水平线上； 所述阴极结构11、所述栅极结构12、所述聚焦极结构13、所述阳极结构14均设置有电极环，通过电极线40与外部驱动电路连接； 所述收集极结构15接地； 所述小型超快激光器50产生激光通过所述通孔照射在纳米冷阴极111表面，所述纳米冷阴极111表面产生超快超短电子脉冲，传输至输出段组件20生成电磁波。

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