上海华虹宏力半导体制造有限公司朱景润获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件的测试结构版图及半导体器件的测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410527374.2，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体器件的测试结构版图及半导体器件的测试结构是由朱景润设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的测试结构版图及半导体器件的测试结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的测试结构版图、半导体器件的测试结构及其制备方法，应用于半导体制造技术领域。在本发明中，在NORD闪存器件的测试结构版图中存储区测试结构版图外边缘的一侧，设计了一种新型的用于测试浮栅电阻的测试结构及其对应版图，其中该测试结构及其版图通过添加虚拟有源区版图层或虚拟有源区的方式，改变有源区的图形密度，进而优化浮栅的制作工艺环境，提高浮栅的一致性，并与现有的NORD闪存器件的制程工艺相兼容。
本发明授权半导体器件的测试结构版图及半导体器件的测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的测试结构版图，其特征在于，位于NORD闪存器件的测试结构版图中存储区测试结构版图外边缘的一侧，所述测试结构版图包括： 有源区版图层，包括设置在所述存储区测试结构版图的有源阵列区版图层内位于边缘的第一有源区图案一侧的至少一第二有源区图案； 虚拟有源区版图层，包括位于所述第二有源区图案一侧的至少一第三有源区图案，且所述第一有源区图案、第二有源区图案及所述第三有源区图案均沿第一方向延伸并沿第二方向相互间隔设置； 第一浮栅版图层，横跨在所述有源区版图层和所述虚拟有源区版图层上，并包括多个沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向相互间隔设置的第一浮栅图案，所述第一方向与所述第二方向垂直； 金属硅化物阻挡版图层，位于所述第一浮栅版图层上，且包括沿所述第一方向、所述第二方向延伸遮蔽所述第一浮栅版图层内位于中间区域的所述第一浮栅图案，并沿所述第一方向露出所述第一浮栅版图层内位于边缘的第一浮栅图案的金属硅化物阻挡层图案； 导电插塞版图层，包括多个导电插塞图案，且一所述导电插塞图案位于一未被所述金属硅化物阻挡版图层遮蔽而露出的第一浮栅图案上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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