深圳市中科光芯半导体科技有限公司郑君雄获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请的专利一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410461174.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法是由郑君雄;杨旭设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法。垂直腔面发射激光器包括外延片、氧化层、电绝缘区、介质层以及P、N金属层。垂直腔面发射激光器结构满足:1、外延片包括总厚度大于或等于2微米的加长谐振腔。氧化层形成于加长谐振腔中有源区之上。2、电绝缘区采用离子注入形成，并且电绝缘区自上而下形成至加长谐振腔中有源区之下。3、P金属层在垂直腔面发射激光器的出光区形成金属环，金属环的内径为D1；氧化层中氧化孔的直径为D2，D1＜D2。本申请中，通过以上三处结构设计的配合使得垂直腔面发射激光器既能够实现高质量的单模激射，又能够达到光功率可控的目的。
本发明授权一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，用于高速通信光模块，包括： 外延片，所述外延片包括：自下而上依次设置的衬底、N型布拉格反射镜、加长谐振腔、形成于所述加长谐振腔中的有源区、P型布拉格反射镜； 形成于所述加长谐振腔中所述有源区之上的氧化层； 离子注入后形成的电绝缘区，所述电绝缘区自上而下形成至所述加长谐振腔中所述有源区之下； 形成于所述外延片之上的介质层；以及， 形成于所述外延片之上的P金属层； 其特征在于，其中，所述加长谐振腔的总厚度大于或等于2微米，所述有源区位于所述加长谐振腔中12处以上的位置； 其中，所述P金属层在所述垂直腔面发射激光器的出光区形成金属环，所述金属环的内径为D1；所述氧化层中包括氧化孔，所述氧化孔的直径为D2，D1＜D2； 所述离子注入后形成的所述电绝缘区的外径为D3，D2＜D3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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