中国科学院半导体研究所张逸韵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氧化镓衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410145119.1，技术领域涉及：H01L21/428；该发明授权氧化镓衬底及其制备方法是由张逸韵;姚然;杨华;伊晓燕;王军喜设计研发完成，并于2024-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：提供了一种氧化镓衬底及其制备方法，所述方法包括以下步骤：按照激光烧蚀版图，采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽；对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽；以及在所述第二沟槽内填充导热层，以形成具有导热层的氧化镓衬底。通过激光刻蚀加工方法填充高导热材料，得到的具有导热层的氧化镓衬底结构简单，散热性能优异。
本发明授权氧化镓衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓衬底的制备方法，其中，所述方法包括以下步骤： 按照激光烧蚀版图，采用激光烧蚀法在初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽，所述第一沟槽刨面结构呈“V”型或“梯形”型； 对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽，所述第二沟槽刨面结构呈“凹”型；以及 在所述第二沟槽内填充导热层，以形成具有导热层的氧化镓衬底， 其中，所述激光烧蚀版图包括能通过激光加工得到的各类规则或不规则的几何图形； 所述几何图形的单一宽度为0.01mm-100mm； 在所述第二沟槽内填充导热层，具体包括：采用烧结法在所述第二沟槽内填充导热层， 所述采用烧结法在所述沟槽内填充导热层包括以下步骤： 将导热层材料与烧结溶液按比例放入匀质机中，使导热层材料均匀地分散到烧结溶液中，形成匀质的混合溶液； 用旋涂机将所述匀质的混合溶液旋涂于所述第二沟槽内，得到预制体；以及 将所述预制体放置于炉中烧结， 其中，所述导热层材料包括金属材料、烧结陶瓷材料和复合材料中的一种或多种；以及 所述烧结溶液包括乙二醇、聚乙二醇、纳米银浆和环氧树脂中的一种或多种溶液形成的混合溶液。
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