江苏中能硅业科技发展有限公司兰天石获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏中能硅业科技发展有限公司申请的专利一种高纯粒状硅的生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311621325.7，技术领域涉及：C01B33/03；该发明授权一种高纯粒状硅的生产方法是由兰天石;陈辉;陈其国;于伟华;赵彦清;张森设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯粒状硅的生产方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纯粒状硅的生产方法，通过调节流化床反应沉积温度和含硅气体浓度，实现形成在流化床内壁形成温度圈层和浓度圈层的目的，在石墨内件内壁沉积硅达到一定厚度，导致温度差时，应力被温度圈层和浓度圈层降低或削弱，避免应力在释放时直接破坏流化床内壁的石墨内件，通过温度圈层和浓度圈层的形成将流化床内壁表面沉积硅的应力分散，有利于延长流化床连续运行时间，避免因石墨件破裂降低产品质量或和停产维护检修，实现流化床的长期稳定运行，延长流化床运行周期的目的。
本发明授权一种高纯粒状硅的生产方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯粒状硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括： 在进料气中含硅气体进入流化床反应区，于650℃～1200℃的反应沉积温度下进行沉积制备高纯粒状硅的过程中，包括： 至少一次调整反应沉积温度，以在流化床反应器内壁对应形成至少一层温度圈层；以及， 至少一次调整含硅气体浓度，以在流化床反应器内壁对应形成至少一层浓度圈层； 其中，将不同反应沉积温度下形成的不同密度和结晶度的环形沉积硅层称之为温度圈层；将不同进气气体中含硅气体的浓度下形成的不同密度和结晶度的环形沉积硅层称之为浓度圈层。
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