广东工业大学简基康获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种硒化铋（BiSe）纳米线/纳米带及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311595330.5，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权一种硒化铋（BiSe）纳米线/纳米带及其制备方法是由简基康;禤振扬设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硒化铋（BiSe）纳米线/纳米带及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种硒化铋BiSe纳米线纳米带及其制备方法。本发明提供了一种硒化铋BiSe纳米线纳米带的制备方法，利用简单的化学气相沉积方法，通过以Bi2Se3粉末和Bi粉作为生长源，以有无镀Au膜的石英片作为生长衬底，在稀有气体作为载气的条件下，加热到一定温度后经反应制备而成。同时，所制得的硒化铋BiSe纳米线纳米带形状规则，具有典型的一维特征。此外，本发明的制备方法步骤简单，能快速大量制备，产物纯度高，且对环境污染小，易于操作、推广，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
本发明授权一种硒化铋（BiSe）纳米线/纳米带及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硒化铋BiSe纳米线纳米带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、以Bi2Se3粉末和Bi粉作为生长源，有无镀Au膜的石英片作为生长衬底，然后将Bi2Se3粉末置于化学气相沉积设备反应区域的加热中心，Bi粉置于加热中心上游，石英衬底置于加热中心下游；所述Bi2Se3粉末和Bi粉的质量比为1:1，所述Bi粉距离加热中心2~10cm，无镀Au膜的石英衬底距离加热中心9~14cm，有镀Au膜的石英衬底距离加热中心9~11cm； S2、排除反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，将反应区域的气压维持在一定范围后，加热到一定温度经反应而制备得到硒化铋BiSe纳米线纳米带。
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