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龙图腾网获悉天能电池集团股份有限公司申请的专利一种高比容量改性氧化镍阴极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116914073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310892491.4，技术领域涉及：H01M4/13；该发明授权一种高比容量改性氧化镍阴极是由皮尔班·贾赫罗米·锡亚马克;黄碧英;张天任;张海源;王宏杰;余凯;王光明设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高比容量改性氧化镍阴极在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高比容量改性氧化镍阴极，使用一种改性镍箔，所述改性镍箔是在镍箔衬底的表面沉积一层纳米级别的镍薄膜；然后使用甲硅烷与所得镍箔表面沉积的镍薄膜反应生成硅化镍纳米线，得到硅化镍纳米线改性的镍箔。通过热线化学气相沉积技术HWCVD在镍箔表面沉积高导电性硅化镍，可以有效解决氧化镍作为半导体材料导电性差的问题，从而提高活性氧化镍比容量80％以上。随着循环次数的增加，电极材料和镍箔之间的间隙逐渐扩大，导致活性物质接触不良引起容量衰减，硅化镍缓冲层的引入能够明显提高接触性；硅化镍缓冲层的引入能够明显提高活性物质的可逆性，循环性能提高35％以上。

本发明授权一种高比容量改性氧化镍阴极在权利要求书中公布了：1.一种改性镍箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）在镍箔衬底的表面沉积一层纳米级别的镍薄膜； （2）使用甲硅烷与步骤（1）中所得镍箔表面沉积的镍薄膜反应生成硅化镍纳米线，得到硅化镍纳米线改性的镍箔， 步骤（1）中，沉积镍薄膜使用热线化学气相沉积技术，将镍箔挂在盘绕的钨丝上，在真空环境下用氢气流进行热蒸发，沉积到衬底镍箔上； 步骤（1）中，衬底温度为100-300℃，热蒸发压力为0.1-5mbar，氢气流速为10-500sccm，沉积厚度为30~50nm； 步骤（2）中，使用热线化学气相沉积技术，将甲硅烷和氢气在真空环境下分别通入后解离沉积到镍箔表面，反应生成硅化镍纳米线； 步骤（2）中，使用高温灯丝解离，高温灯丝温度为1200-2200℃，解离时间为5-60min，甲硅烷流速为0.5-50sccm，氢气流速为10-500sccm，衬底温度为150-800℃，沉积压力为0.1-5mbar，基底压力为1-20×10-7mbar。

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