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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利CMOS器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310843496.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权CMOS器件及其形成方法是由廖昱程;蒋懿;赵文礼;冯道欢设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMOS器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种CMOS器件及其形成方法，CMOS器件包括：半导体衬底，半导体衬底中具有P阱，P阱中具有N阱；位于P阱和N阱中的分立的第一沟槽和第二沟槽；位于第一沟槽底部的P阱中的第一NMOS晶体管的漏区和N阱中的第一PMOS晶体管的漏区，位于第二沟槽底部的P阱中的第二NMOS晶体管的漏区和N阱中的第二PMOS晶体管的漏区；分别位于第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底部表面上的第一栅介质层和第二栅介质层；填充满第一沟槽的第一栅电极，填充满第二沟槽的第二栅电极；位于第一栅电极和第二栅电极之间的N阱表面的共源极。所述CMOS器件占据的面积较小，提高了器件的集成度。

本发明授权CMOS器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底中具有P阱，所述P阱中具有N阱，所述N阱的深度小于所述P阱的深度； 位于所述P阱和N阱中的分立的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽均横跨部分所述P阱和N阱，且所述第一沟槽和第二沟槽的深度小于所述N阱的深度； 位于所述第一沟槽底部的P阱中的第一NMOS晶体管的漏区，位于所述第一沟槽底部的N阱中的第一PMOS晶体管的漏区，位于所述第二沟槽底部的P阱中的第二NMOS晶体管的漏区，位于所述第二沟槽底部的N阱中的第二PMOS晶体管的漏区，所述第一NMOS晶体管的漏区与所述第一PMOS晶体管的漏区接触，所述第二NMOS晶体管的漏区与所述第二PMOS晶体管的漏区接触； 位于所述第一沟槽的侧壁和底部表面上的第一栅介质层，位于所述第二沟槽的侧壁和底部表面上的第二栅介质层； 位于所述第一栅介质层表面上且填充满第一沟槽的第一栅电极，位于所述第二栅介质层的表面上且填充满第二沟槽的第二栅电极； 位于所述第一栅电极和第二栅电极之间的N阱表面中的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的共源极； 位于所述第一栅电极的远离所述共源极一侧的P阱表面中的第一NMOS晶体管的源区，位于所述第二栅电极的远离所述共源极一侧的P阱表面中的第二NMOS晶体管的源区。

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