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龙图腾网获悉西安热工研究院有限公司申请的专利一种CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的制备方法及其产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116875949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310660513.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的制备方法及其产品是由崔锦文;张磊;杨哲一;崔雄华;王弘喆设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的制备方法及其产品在说明书摘要公布了：本发明公开一种CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的制备方法及其产品，该制备方法包括以下步骤：利用磁控溅射技术制备TiCuNCu双层薄膜，随后，在空气气氛下对TiCuNCu双层薄膜进行氧化，通过控制氧化温度和时间，制备出具有特殊结构的CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜。本发明提供的CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜，CuO纳米颗粒大小均匀，粒径为51～96nm，CuO纳米线均匀地分布在CuO纳米颗粒中，长度大小不等，最长长度约为1175nm，薄膜的接触角为130.1°～159.4°，薄膜具有良好的导电性能、疏水性能、电磁屏蔽等多种性能，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的制备方法及其产品在权利要求书中公布了：1.一种CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 首先，利用磁控溅射技术制备TiCuNCu双层薄膜，随后，在空气气氛下对TiCuNCu双层薄膜进行氧化，实现Cu原子取代TiCuN晶格中的Ti原子、O原子替代TiCuN晶格中的N原子，制备出所需CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜； 在空气气氛下对TiCuNCu双层薄膜进行氧化的步骤包括： 将制备好的TiCuNCu双层薄膜放入热处理炉中进行氧化，热处理温度为300-1000℃，保温时间为1-3h，升温速率为1-8℃min，保温结束后停止加热，炉体自然冷却至室温； 所述CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜是由CuO纳米线和CuO纳米颗粒组成的纳米形貌，CuO纳米颗粒大小均匀，CuO纳米颗粒的粒径为51~96nm，CuO纳米线均匀分布在CuO纳米颗粒中，长度大小不等，所述CuO纳米线、纳米颗粒二维混杂结构功能薄膜的接触角为130.1°~159.4°。

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