聊城大学房文敬获国家专利权
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龙图腾网获悉聊城大学申请的专利基于豌豆型超表面的光学折射率传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116429730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310433000.X，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权基于豌豆型超表面的光学折射率传感器及其制作方法是由房文敬;庞杰龙;范鑫烨;郭昊宇;牛慧娟;白成林;张霞设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于豌豆型超表面的光学折射率传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：一种基于豌豆型超表面的光学折射率传感器及其制作方法，涉及光学传感技术领域，具体属于一种基于豌豆型超表面的光学折射率传感器及其制作方法。包括介质基底和超结构，介质基底包括若干个方形衬底，超结构包括若干个超结构单元，超结构单元与方形衬底对应设置并构成微结构单元，若干个微结构单元形成矩阵分布，并在X、Y方向周期性排列。本发明通过采用不同折射率的超表面材料来打破对称性，能在传感器工作波长范围内产生两个尖锐的Fano共振，并获得高品质因子。
本发明授权基于豌豆型超表面的光学折射率传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于豌豆型超表面的光学折射率传感器，其特征在于，包括介质基底和超结构，介质基底包括若干个方形衬底，超结构包括若干个超结构单元，超结构单元与方形衬底对应设置并构成微结构单元，若干个微结构单元形成矩阵分布，并在X、Y方向周期性排列； 介质基底材料为二氧化硅，厚度为260nm； 超结构单元包括第一结构体和第二结构体，所述的第一结构体和第二结构体为对称布置的豌豆型缺陷椭圆柱结构，厚度均为270nm，其中，第一结构体材料为Si，Si的折射率为3.56；第二结构体材料为GaAs，GaAs的折射率为3.52； 微结构单元在X、Y方向的排列周期为530nm； 豌豆型缺陷椭圆柱的长轴为225nm，短轴为64nm，两个豌豆型缺陷椭圆柱圆心间隔为258nm。
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