中芯国际集成电路制造(上海)有限公司程明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利光源掩膜协同优化方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118778369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310368876.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光源掩膜协同优化方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由程明;甘志锋;刘玄;李秋;徐骁驰;周军设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本光源掩膜协同优化方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光源掩膜协同优化方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，方法包括：提供原始光源；获取多个设计图形，设计图形平行排布；从多个设计图形中，选取光源表现不佳的设计图形作为目标图形；获取与目标图形线宽相等的多个辅助图形，辅助图形的排布方向与设计图形的排布方向相同，辅助图形两侧的节距之差小于目标图形两侧的节距之差；基于设计图形和辅助图形进行光源优化，获得目标光源。本发明有利于提高整体设计图形光源掩膜协同优化的优化效果。
本发明授权光源掩膜协同优化方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光源掩膜协同优化方法，其特征在于，包括： 提供原始光源； 获取多个设计图形，所述设计图形平行排布； 从多个所述设计图形中，选取光源表现不佳的所述设计图形作为目标图形； 获取与所述目标图形线宽相等的多个辅助图形，所述辅助图形的排布方向与所述设计图形的排布方向相同，所述辅助图形两侧的节距之差小于所述目标图形两侧的节距之差； 基于所述设计图形和辅助图形进行光源优化，获得目标光源。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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