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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310268962.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法是由张羿设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括衬底、栅极层、源漏极层、第一钝化层、公共电极层、第二钝化层、像素电极层，阵列基板还包括多个至少贯穿第二钝化层设置的过孔，任一过孔内包括深孔区、浅孔区，深孔区的过孔贯穿第二钝化层、第一钝化层设置，浅孔区的过孔贯穿第二钝化层设置，在深孔区，像素电极与漏极连接，在浅孔区，公共电极层通过第一连接电极、第二连接电极与补偿电极电连接；通过在一个过孔内不仅实现像素电极与漏极连接，还能实现公共电极层与第一金属层的补偿电极连接，从而减少过孔的数量，提高了开口率。

本发明授权阵列基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 栅极层，所述栅极层设置于所述衬底上方，所述栅极层包括栅极、补偿电极； 源漏极层，所述源漏极层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括源极、漏极、第一连接电极； 第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧； 公共电极层，所述公共电极层设置于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧； 第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述公共电极层远离所述衬底的一侧； 像素电极层，所述像素电极层设置于所述第二钝化层远离所述衬底的一侧，所述像素电极层包括像素电极、第二连接电极； 其中，所述阵列基板还包括多个至少贯穿所述第二钝化层设置的过孔，任一所述过孔内包括深孔区、浅孔区，所述深孔区的所述过孔贯穿所述第二钝化层、所述第一钝化层设置，所述浅孔区的所述过孔贯穿第二钝化层设置，在所述深孔区，所述像素电极与所述漏极连接，在所述浅孔区，所述公共电极层通过所述第一连接电极、所述第二连接电极与所述补偿电极电连接； 在所述浅孔区，所述公共电极层覆盖所述过孔内壁设置； 所述第二连接电极与所述公共电极层呈面接触，所述第二连接电极至少覆盖位于所述过孔内壁的所述公共电极层。

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