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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310116479.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法是由张福胜;谢梓翔;李春艳;廖勇波;马颖江设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该逆导型绝缘栅双极晶体管包括：第一导电类型掺杂的漂移区、第二导电类型掺杂的基区、从漂移区的表面延伸入漂移区且平行排列的多个沟槽，沟槽贯穿基区且底部与漂移区接触，沟槽内设置有绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料；基区包括交错分布的有源区和虚拟元胞区；由有源区对应的发射区、接触区及其毗连的基区、漂移区和集电区组成IGBT单元；虚拟元胞区对应的基区及其毗连的接触区、漂移区和阴极区组成反向恢复晶体管单元；其中，位于虚拟元胞区内的沟槽的绝缘介质层设置有凹槽。本申请在不显著增加工艺和成本的基础上，优化RCIGBT的反向恢复性能，降低二极管的关断损耗。

本发明授权逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种逆导型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括： 第一导电类型掺杂的漂移区； 在所述漂移区的表面形成有第二导电类型掺杂的基区，所述基区包括交错分布的有源区和虚拟元胞区； 从所述漂移区的表面延伸入所述漂移区且平行排列的多个沟槽，所述沟槽贯穿所述基区且底部与所述漂移区接触，所述沟槽内设置有绝缘介质层和由所述绝缘介质层包围的导电材料，所述导电材料从顶部的第一金属层引出形成栅电极； 在所述基区的所述有源区的表面形成有第一导电类型重度掺杂的发射区和第二导电类型重度掺杂的接触区，所述发射区的第一侧面与对应的所述沟槽的侧面毗连，所述发射区的第二侧面与所述接触区毗连，所述发射区和所述接触区共同从所述第一金属层引出发射极； 在所述漂移区的背面形成有第一导电类型掺杂的缓冲层； 在所述缓冲层的表面形成有交错分布的第二导电类型重度掺杂的集电区和第一导电类型重度掺杂的阴极区，所述集电区和所述阴极区共同从第二金属层引出形成集电极； 由所述有源区对应的所述发射区、所述接触区及其毗连的所述基区、所述漂移区和所述集电区组成IGBT单元； 所述虚拟元胞区作为晶体管阳极区，由所述晶体管阳极区对应的所述基区及其毗连的所述接触区、所述漂移区和所述阴极区组成反向恢复晶体管单元； 其中，位于所述虚拟元胞区内的所述沟槽的所述绝缘介质层设置有凹槽。

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