中国科学院福建物质结构研究所赵三根获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利LiNH4SO4晶体在深紫外准相位匹配光学器件上的应用及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211435541.8，技术领域涉及：G03G15/16；该发明授权LiNH4SO4晶体在深紫外准相位匹配光学器件上的应用及其制备方法是由赵三根;罗军华;宋一鹏设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本LiNH4SO4晶体在深紫外准相位匹配光学器件上的应用及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种LiNH4SO4准相位匹配晶体的光学器件的制备方法和用途。LiNH4SO4晶体在制备深紫外准相位匹配光学器件上的应用。LiNH4SO4准相位匹配晶体具有短的紫外吸收截止边、适中的非线性光学效应、低折射率色散，物理化学性能稳定和机械性能好等优点，使得其能够在深紫外准相位匹配光学器件上得到应用。
本发明授权LiNH4SO4晶体在深紫外准相位匹配光学器件上的应用及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外准相位匹配光学器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）将LiNH4SO4晶体沿垂直于LiNH4SO4晶体b方向切割成薄片，将薄片的垂直于所述LiNH4SO4晶体b方向的两个表面进行抛光出，之后在这两个表面均匀涂覆银浆，接着放入极化用样品盒中； （2）然后将步骤（1）得到的晶体和极化用样品盒一起升温至140-150℃，并施加4-4.5kV的外加电压，保持10-15min，完成晶片的单畴化； （3）然后将经步骤（2）的晶体表面的银浆去除，并在这两个表面镀制厚度和材料一致的金属膜，然后根据所述LiNH4SO4晶体的折射率色散方程计算得到的相干长度对其中的一面进行光刻，制备出相应的电极结构，形成极化所需的光栅电极； （4）然后利用高压脉冲电源对晶片施加多次方波电场，完成周期极化，最后去除晶片表面的金属膜，即得所述的准相位匹配光学器件。
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