买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种沟槽型SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210760471.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种沟槽型SiC MOSFET器件是由任敏;周春颖;李曦;梁世琦;李泽宏;张波设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种沟槽型SiCMOSFET器件，属于功率半导体技术领域。本发明通过去除沟槽底部的栅氧，使得屏蔽层、漂移区和衬底之间形成二极管结构，增大了器件反向续流的能力，同时提高了器件体二极管抗浪涌能力；其次，通过在沟槽内部引入不同掺杂类型的多晶硅，减小了器件的密勒电容，提高了器件的开关速度；另外，不同掺杂类型的多晶硅所接电位不同，可以在正、反向导通时，分别发挥控制沟道的作用，且多晶硅二极管在第三象限工作时也可以发挥续流作用，得到正向导通特性和体二极管导通特性的折中。因此，本发明在保障SiCMOSFET原有的电学性能基础上，有效提高了器件的开关速度，大大提升了器件正向和反向的导通性能。

本发明授权一种沟槽型SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型SiCMOSFET器件，包括金属化漏极1；位于金属化漏极1之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底2；位于所述重掺杂第一导电类型半导体衬底2上的轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3；所述轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3上部还具有沟槽区13； 所述轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3之上具有第二导电类型半导体体区6；位于所述第二导电类型半导体体区6顶部具有紧邻的重掺杂第一导电类型半导体源区5和重掺杂第二导电类型半导体接触区4；所述重掺杂第一导电类型半导体源区5和重掺杂第二导电类型半导体接触区4均以欧姆接触的形式与金属化源极14直接接触；金属化源极14位于重掺杂第一导电类型半导体源区5和重掺杂第二导电类型半导体接触区4上方，所述重掺杂第一导电类型半导体源区5和所述第二导电类型半导体体区6的侧面均与所述沟槽区13的侧壁直接接触，且所述沟槽区13的底部超过第二导电类型半导体体区6的下表面； 所述沟槽区13的侧壁具有栅介质层7；所述沟槽区13中填充轻掺杂第二导电类型多晶硅区10；所述轻掺杂第二导电类型多晶硅区10上部两侧具有重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极区9，且所述重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极区9的下表面超过第二导电类型半导体体区6的下表面；所述轻掺杂第二导电类型多晶硅区10下表面具有紧邻的重掺杂第二导电类型多晶硅源电极区11；所述沟槽区13底部被重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层12包裹，且第二导电类型半导体屏蔽层12上表面与重掺杂第二导电类型多晶硅源电极区11下表面直接接触；所述重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极区9与栅极电位相连；所述重掺杂第二导电类型多晶硅源电极区11通过版图设计利用通孔实现与金属化源极14的电位连接；所述金属化源极14之下具有绝缘介质层8，实现金属化源极14和重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极区9的电气隔离； 其特征在于：在一些垂直于器件表面的剖面上，所述第二导电类型半导体体区6的侧面被所述重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极区9完全覆盖，在另一些垂直于器件表面的剖面上，所述第二导电类型半导体体区6的侧面被所述轻掺杂第二导电类型多晶硅区10完全覆盖。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。