上海超导科技股份有限公司朱佳敏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海超导科技股份有限公司申请的专利小弯曲直径的超导带材制备方法、超导带材及超导缆线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116168898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002216.0，技术领域涉及：H01B13/012；该发明授权小弯曲直径的超导带材制备方法、超导带材及超导缆线是由朱佳敏;甄水亮;陈思侃;赵跃;张超;吴蔚;王臻郅;丁逸珺设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本小弯曲直径的超导带材制备方法、超导带材及超导缆线在说明书摘要公布了：本发明提供了一种小弯曲直径的超导带材制备方法、超导带材及超导缆线，包括：缓冲层制备步骤：在超导基带上制备缓冲层；超导层制备步骤：在所述缓冲层上制备超导层，得到超导带材；镀铜步骤：在所述超导层上镀制铜层。通过本发明可以大幅度减小超导带材的转弯直径，从而提升超导带材的性能。
本发明授权小弯曲直径的超导带材制备方法、超导带材及超导缆线在权利要求书中公布了：1.一种小弯曲直径的超导带材制备方法，其特征在于，包括： 缓冲层制备步骤：在超导基带上制备缓冲层； 超导层制备步骤：在所述缓冲层上制备超导层，得到超导带材； 镀铜步骤：在所述超导层上镀制铜层； 所述缓冲层制备步骤包括：在原本缓冲层为MgO层+LaMnO3层的结构上方继续插入CeO2层，或者在原本缓冲层为MgO层+CeO2层的结构中间插入LaMnO3层，使缓冲层的结构成为MgO层+LaMnO3层+CeO2层； 所述超导层制备步骤包括：在缓冲层位于外侧的弯曲状态下，在所述缓冲层上制备超导层； 超导层晶格沿带材长度方向是[100]或[010]取向，相较于[110]取向，晶格方向转变的角度为45度； 所述铜层为软铜。
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