福建省晋华集成电路有限公司许耀光获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111316015.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由许耀光;蔡建成;郑俊义;吴建山;贾世元;周芷伊设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件中每个所述有源图案被第二隔离结构截断为多个子图案；每个所述有源图案中，在平行于所述衬底上表面的平面内，所述子图案与相邻的所述第二隔离结构的接触部分呈向所述子图案内部凹陷的圆弧状；或每个所述第二隔离图案包括在所述衬底上依次叠层设置的第一隔离部分和第二隔离部分；在平行于所述衬底上表面的平面内，所述第二隔离部分的截面尺寸大于所述第一隔离部分的截面尺寸。使得有源图案在与其上方的位线接触时，增大了与其它部件的接触面积，加强了接触效果，提升了器件的电学性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 间隔设置于所述衬底表面内的多个有源图案；其中，所述多个有源图案沿第一方向延伸且相互平行排布； 设置于任意相邻两个所述有源图案之间的第一隔离结构； 其中，每个所述有源图案被第二隔离结构截断为多个子图案；每个所述有源图案中，在平行于所述衬底上表面的平面内，所述子图案与相邻的所述第二隔离结构的接触部分呈向所述子图案内部凹陷的圆弧状；所述第二隔离结构的直径大于所述有源图案的线宽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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