长江存储科技有限责任公司陈阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264319.1，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统是由陈阳;王迪;张中;周文犀;夏志良设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统。可以减少后续填充材料填充不良所带来的器件结构性能恶化，甚至失效等问题。一种半导体结构，包括：叠层结构和绝缘部，叠层结构包括沿第一方向交替叠置的多个绝缘层和多个栅导电层；叠层结构具有第一核心区和台阶区；在台阶区，叠层结构划分成沿第三方向依次排列的墙体和台阶结构，墙体的上表面上设置有沿第三方向贯穿墙体的凹槽，台阶结构包括沿第二方向排列的第一台阶集群和第二台阶集群，第二台阶集群相比于第一台阶集群远离所述第一核心区，第一台阶集群和第二台阶集群均与墙体的侧壁接触，且第二台阶集群位于凹槽的下方，绝缘部嵌入凹槽内。
本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向交替叠置的多个绝缘层和多个栅导电层； 所述叠层结构具有沿第二方向排列的第一核心区和台阶区；在所述台阶区，所述叠层结构划分成沿第三方向排列的墙体和台阶结构；所述墙体的上表面上设置有沿所述第三方向至少贯穿相邻的两个墙体的凹槽；所述台阶结构包括沿所述第二方向排列的第一台阶集群和第二台阶集群，第二台阶集群相比于所述第一台阶集群远离所述第一核心区，所述第一台阶集群和所述第二台阶集群均与所述墙体的侧壁接触，且所述第二台阶集群位于所述凹槽的下方； 绝缘部，所述绝缘部嵌入所述凹槽内，并与所述凹槽的侧壁接触； 其中，第一台阶集群和第二台阶集群分别包括多个台阶组，每个台阶组包括阶梯排列的多个栅导电图案，每个栅导电图案位于所述多个栅导电层中的一个栅导电层；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两之间相互垂直。
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