IMEC 非营利协会李云龙获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利像素化光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110750501.1，技术领域涉及：H10K39/32；该发明授权像素化光电器件是由李云龙;S·格列里;毛明;L·莫雷诺哈格尔西布设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素化光电器件在说明书摘要公布了：公开了一种用于形成像素化光电堆叠的方法，该方法包括获得堆叠层结构，该堆叠层结构包括底部电极层、该底部电极层上方的光电层、以及该光电层上方的包括图案的图案化硬掩模；将该图案复制到该光电层和底部电极层中，以由此获得包括由无堆叠区域彼此隔开的至少两个堆叠岛的第一中间像素化堆叠；在该第一中间像素化堆叠上提供电绝缘层；移除该电绝缘层的顶部并移除任何剩余硬掩模以使得该电绝缘层的顶表面与该第一中间像素化堆叠的暴露的顶表面共面；产生第二中间像素化堆叠；以及在该第二中间像素化堆叠上方形成顶部透明电极层。
本发明授权像素化光电器件在权利要求书中公布了：1.一种用于在衬底之上形成像素化光电堆叠的方法，所述方法包括： i.获得衬底上的堆叠层结构，所述堆叠层结构包括底部电极层、所述底部电极层上方的光电层，以及在所述光电层上方且包括图案的图案化硬掩模，所述图案包括由无硬掩模区域隔开的至少两个硬掩模岛， ii.通过相对于所述硬掩模选择性地蚀刻穿过所述光电层和所述底部电极层来将所述图案复制到所述光电层和所述底部电极层中，由此获得所述衬底之上的第一中间像素化堆叠，所述第一中间像素化堆叠包括由无堆叠区域彼此隔开的至少两个堆叠岛， iii.在所述第一中间像素化堆叠上提供电绝缘层以填充所述无堆叠区域并覆盖所述至少两个堆叠岛， iv.移除所述电绝缘层的顶部并移除任何剩余硬掩模以使得所述电绝缘层的顶表面与所述第一中间像素化堆叠的暴露的顶表面共面，以产生所述衬底之上的第二中间像素化堆叠，以及 v.在所述第二中间像素化堆叠上方形成顶部透明电极层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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