南亚科技股份有限公司徐嘉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110703436.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体元件及其制备方法是由徐嘉祥设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一介电层、一栓塞以及一导电聚合物的着陆垫；该介电层设置在该基底上；该栓塞设置在该介电层中；该导电聚合物的着陆垫设置在该介电层上。该方法包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介电层在该基底上；执行一蚀刻制程，以移除该介电层的一部分，进而暴露该栓塞的一突出部；形成一导电聚合物层，以覆盖介电层与该突出部；以及执行一热处理，以自对准方法形成一着陆垫在该介电层上。导电聚合物的该着陆垫包括该栓塞的一突出部、一第一硅化物层以及一第二硅化物层；该第一硅化物层设置在该突出部上；该第二硅化物层设置在该突出部的一侧壁上。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一介电层，设置在该基底上； 一栓塞，设置在该介电层中，其中该栓塞具有一突出部，该突出部具有一第一宽度； 一着陆垫，设置在该介电层上，其中该着陆垫包含导电聚合物，且该着陆垫具有一第二宽度，该第二宽度是较大于该突出部的该第一宽度；以及 一电容接触点，位在该基底上，该着陆垫设置在该电容接触点上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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