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龙图腾网获悉陶氏东丽株式会社申请的专利由聚有机硅氧烷固化物膜构成的层叠体、其用途及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116194294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180061316.X，技术领域涉及：B32B27/00；该发明授权由聚有机硅氧烷固化物膜构成的层叠体、其用途及其制造方法是由福井弘;外山香子;赤坂昌保;津田武明设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本由聚有机硅氧烷固化物膜构成的层叠体、其用途及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种层叠体、其用途以及制造方法，该层叠体是将由于如电介质层和电极层那样所要求的功能不同，因此其组成相互不同的固化性聚有机硅氧烷组合物固化而得到的两层以上的聚有机硅氧烷固化物膜层叠而成的层叠体，在构成所述层叠体的固化物膜的界面处不易产生其粘接强度和随动性的不足带来的剥离、缺陷的问题。一种层叠体，其具有将组成不同的聚有机硅氧烷固化物膜层叠两层以上的结构，并且层叠后的固化物膜在其界面处具有化学键合而成的结构，两层以上的该聚有机硅氧烷固化物膜的参与固化反应的官能团的至少一部分共同。优选的是，所述组合物都包含氢化硅烷化反应性基团，并且其组合物中的SiHVi比不同，层叠后的固化物膜在其界面处具有通过氢化硅烷化反应而化学键合而成的结构。

本发明授权由聚有机硅氧烷固化物膜构成的层叠体、其用途及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种层叠体，所述层叠体具有将组成相互不同的聚有机硅氧烷固化物膜层叠两层以上的结构，两层以上的所述聚有机硅氧烷固化物膜是将参与固化反应的官能团的至少一部分共同的固化性聚有机硅氧烷组合物固化而得到的，其中， 通过固化而提供聚有机硅氧烷固化物膜的固化性聚有机硅氧烷组合物至少含有： A分子内具有至少两个包含碳-碳双键的固化反应性基团的聚有机硅氧烷； B分子中具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷，相对于组合物中的碳-碳双键的合计量1摩尔，本成分中的硅原子键合氢原子成为0.5摩尔～2.5摩尔的量；以及 C有效量的氢化硅烷化反应用催化剂， 并且，层叠后的聚有机硅氧烷固化物膜在其界面处具有通过所述的成分A与成分B间的氢化硅烷化反应而化学键合而成的结构，是将相互组成不同的固化性聚有机硅氧烷组合物固化而得到的聚有机硅氧烷固化物膜， 一方的聚有机硅氧烷固化物膜是I将相对于组合物中的碳-碳双键的合计量1摩尔，有机氢聚硅氧烷成分中的硅原子键合氢原子超过1.0摩尔且为2.0摩尔以下的固化性聚有机硅氧烷组合物固化而得到的固化物膜，其中包含导电性微粒，相对于组合物中的碳-碳双键的合计量1摩尔的有机氢聚硅氧烷成分中的硅原子键合氢原子的物质量[SiHVi]Elec为0.7摩尔以上且0.8摩尔以下， 另一方的聚有机硅氧烷固化物膜是II将相对于组合物中的碳-碳双键的合计量1摩尔，有机氢聚硅氧烷成分中的硅原子键合氢原子为0.5摩尔以上且1.0摩尔以下的固化性聚有机硅氧烷组合物固化而得到的固化物膜，其为电介质层，不含导电性微粒，相对于组合物中的碳-碳双键的合计量1摩尔，关于有机氢聚硅氧烷成分中的硅原子键合氢原子的物质量[SiHVi]DEAP，[SiHVi]Elec[SiHVi]DEAP的值在0.58～0.67的范围内。

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