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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110539522.9，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器是由P·菲拉里;F·F·维拉;L·祖里诺;A·诺梅尔里尼;L·塞吉齐;L·扎诺蒂;B·穆拉里;M·斯科拉里设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括：提供硅基材料层，具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面；形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件，以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面；形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件，并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子，第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。

本发明授权制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器在权利要求书中公布了：1.一种制作热电转换器的方法，包括： 在硅基材料层中形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件、以及具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，所述硅基材料层具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及在所述第一表面与所述第二表面之间的第一厚度，所述第一热电有源元件和所述第二热电有源元件各自被形成为从所述第一表面延伸穿过所述第一厚度到所述第二表面；以及 在所述硅基材料层的所述第一表面或所述第二表面中的至少一个表面之上形成导电互连件，所述导电互连件各自将所述多个第一热电有源元件中的第一热电有源元件与所述多个第二热电有源元件中的一个对应的第二热电有源元件电互连；以及形成电耦合至所述导电互连件的输入电端子和输出电端子， 其中所述第一热电半导体材料和所述第二热电半导体材料各自包括从由多孔硅、多晶硅锗SiGe和多晶硅组成的组选择的硅基材料； 其中形成所述多个第一热电有源元件和所述多个第二热电有源元件包括：形成分别围绕所述多个第一热电有源元件和所述多个第二热电有源元件中的每个热电有源元件的环形沟槽； 其中所述第一热电有源元件包括多孔硅的第一部分以及多晶硅的第二部分，所述第二部分在所述第一部分与衬底之间。

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