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龙图腾网获悉武汉飞恩微电子有限公司申请的专利一种芯体结构以及压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113029430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110220044.5，技术领域涉及：G01L13/02；该发明授权一种芯体结构以及压力传感器是由王小平;曹万;王红明;李凡亮;张超军;施涛设计研发完成，并于2021-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯体结构以及压力传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯体结构以及压力传感器，该芯体结构包括烧结座、具有预压结构的第一金属隔膜和第二金属隔膜以及压力芯片，所述烧结座沿第一方向间隔设有开口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室，所述烧结座内形成有连接通道，所述第二腔室在与所述连接通道的连通处形成有连接口，所述第一金属隔膜和所述第二金属隔膜分别安装在所述第一腔室和所述第二腔室的内侧壁，以将所述第一腔室和所述第二腔室分别隔成沿第二方向上的上腔和下腔，所述第一腔室的下腔和所述第二腔室的下腔分别用于接入第一流体压力和第二流体压力，压力芯片设于所述连接口并封接所述连接口。

本发明授权一种芯体结构以及压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种芯体结构，其特征在于，包括： 烧结座，所述烧结座沿第一方向间隔设有开口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室，所述烧结座内形成有直接连通所述第一腔室和所述第二腔室的连接通道，所述第二腔室在与所述连接通道的连通处形成有连接口；所述第一腔室和所述第二腔室均整体上位于所述烧结座的开口一侧； 具有预压结构的第一金属隔膜和第二金属隔膜，所述第一金属隔膜和所述第二金属隔膜分别安装在所述第一腔室和所述第二腔室的内侧壁，以将所述第一腔室和所述第二腔室分别隔成沿第二方向上的上腔和下腔，所述第一腔室的下腔和所述第二腔室的下腔分别用于接入第一流体压力和第二流体压力；所述连接口在第二方向上正对地朝向所述第二腔室和所述第二金属隔膜； 压力芯片，设于所述连接口并封接所述连接口； 其中，所述连接通道与所述第一腔室的上腔连通并形成第一通道，所述第一通道、所述第二腔室的上腔分别填充有流体介质，以分别与所述第一金属隔膜、所述第二金属隔膜接合； 所述芯体结构还包括第一压接部和第二压接部，所述第一压接部和所述第二压接部之间压设有所述第一金属隔膜，所述第一压接部、所述第二压接部以及第一金属隔膜固定设置，形成第一隔膜组件，所述第一隔膜组件安装在所述第一腔室的内壁,所述第二压接部位于所述第一金属隔膜靠近所述烧结座的一侧；和或，所述芯体结构还包括第三压接部和第四压接部，所述第三压接部和所述第四压接部之间压设有所述第二金属隔膜，所述第三压接部、所述第四压接部以及第二金属隔膜固定设置，形成第二隔膜组件，所述第二隔膜组件安装在所述第二腔室的内壁，所述第四压接部位于所述第二金属隔膜靠近所述烧结座的一侧； 所述第一隔膜组件焊接在所述第一腔室的内壁；所述第二隔膜组件焊接在所述第二腔室的内壁； 其中，所述连接口位于所述第四压接部的上侧，所述第四压接部沿所述第二方向贯设有第二连通孔，所述第二连通孔为靠近所述连接口的部分相对扩大的阶梯孔。

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