三星电子株式会社崔宰福获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011005118.5，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由崔宰福;安容奭;李承炯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种制造集成电路器件的方法包括：在衬底上方，形成在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸并且在第二方向上以第一间距布置的第一硬掩模图案；使用第一硬掩模图案作为蚀刻掩模在衬底中形成多个第一沟槽；在多个第一沟槽的内壁上形成多个第一栅电极；在衬底上方，形成在第一方向上延伸并且在第二方向上以第二间距布置的第二硬掩模图案；使用第二硬掩模图案作为蚀刻掩模在衬底中形成多个第二沟槽，该多个第二沟槽中的每个第二沟槽设置在两个相邻的第一沟槽之间；以及在多个第二沟槽的内壁上形成多个第二栅电极。
本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成第一硬掩模图案，所述第一硬掩模图案在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸，所述第一硬掩模图案在第二方向上以第一间距布置，所述第二方向垂直于所述第一方向； 通过使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模在所述衬底中形成多个第一沟槽； 在所述多个第一沟槽中形成多个第一栅电极； 在所述衬底上方形成第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上以第二间距布置； 通过使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模在所述衬底中形成多个第二沟槽，所述多个第二沟槽中的每个第二沟槽位于所述多个第一沟槽中的两个相邻的第一沟槽之间；以及 在所述多个第二沟槽中形成多个第二栅电极， 其中，所述多个第一栅电极在所述第二方向上与所述多个第二栅电极交替。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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