朗姆研究公司马修·斯科特·韦默获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利通过高功率脉冲低频率RF产生的高选择性、低应力、且低氢的类金刚石碳硬掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113891954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039821.X，技术领域涉及：C23C16/04；该发明授权通过高功率脉冲低频率RF产生的高选择性、低应力、且低氢的类金刚石碳硬掩模是由马修·斯科特·韦默;普拉莫德·苏布拉莫尼姆;拉格什·普顿科维拉卡姆;白如君;大卫·弗伦奇设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过高功率脉冲低频率RF产生的高选择性、低应力、且低氢的类金刚石碳硬掩模在说明书摘要公布了：本发明提供了通过使低频射频部分在高功率下脉冲化而在衬底上沉积可灰化硬掩模AHM的方法和相关设备。使低频功率脉冲化可用于增加AHM的选择性或减小AHM的应力。接着可利用AHM将特征蚀刻至衬底的下伏层中。
本发明授权通过高功率脉冲低频率RF产生的高选择性、低应力、且低氢的类金刚石碳硬掩模在权利要求书中公布了：1.一种形成可灰化硬掩模AHM膜的方法，其包含： 将半导体衬底暴露于处理气体，所述处理气体包含烃前体气体和氦气，不具有任何其他惰性气体；以及 通过等离子体增强化学气相沉积PECVD处理，在所述半导体衬底上沉积AHM膜，其中所述处理包含： 点燃由包含高频HF部分和低频LF部分的双射频RF等离子体源产生的等离子体， 所述HF部分的功率在沉积期间不变，且 所述LF部分的功率以介于每300mm晶片3500W与6500W之间以及介于10％与75％之间的工作周期脉冲化。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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