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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010177727.2，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括无效区和有效区，无效区上具有第一鳍部结构，有效区上具有第二鳍部结构；在无效区上形成横跨第一鳍部结构的第一伪栅极结构，且第一伪栅极结构位于第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；在基底上形成覆盖第一鳍部结构和第二鳍部结构表面的介质层，且介质层暴露出第一伪栅极结构顶部表面；去除第一伪栅极结构，在无效区上的介质层内形成第一开口，第一开口底部暴露出第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；去除所述第一开口底部暴露出的第一鳍部结构，在所述第一鳍部结构内形成第二开口，且所述第二开口暴露出基底表面。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括无效区和有效区，所述无效区上具有第一鳍部结构，所述有效区上具有第二鳍部结构； 位于所述基底上覆盖所述第一鳍部结构和第二鳍部结构的介质层，所述无效区上的介质层内具有第一开口，且所述第一开口暴露出所述第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面； 位于所述第一鳍部结构内的第二开口，所述第二开口由去除所述第一开口底部暴露出的第一鳍部结构形成，所述第二开口位于部分所述第一开口底部，且所述第二开口底部暴露出基底表面； 位于所述有效区上介质层内的第三开口，且所述第三开口暴露出所述第二鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面； 所述第二鳍部结构包括沿基底表面法线方向排列的若干层沟道层，且第三开口暴露出的相邻沟道层之间具有第四开口； 位于所述第三开口和第四开口内的第二栅极结构，且所述第二栅极结构环绕各沟道层； 所述无效区上形成的器件为无效器件；其中， 所述第一鳍部结构和第二鳍部结构的形成方法包括：在所述基底上形成初始鳍部结构，所述初始鳍部结构包括若干沿基底表面法线方向重叠的沟道层和位于沟道层表面的牺牲层；去除所述无效区上的沟道层，在无效区上相邻牺牲层之间、以及最底层的牺牲层和基底之间形成凹槽，位于所述有效区上的沟道层和牺牲层形成所述第二鳍部结构；在所述凹槽内形成填充层，位于无效区上的填充层和牺牲层形成所述第一鳍部结构； 所述填充层的材料与所述沟道层的材料不相同； 所述填充层的材料与所述牺牲层的材料相同或者不相同。

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