株式会社国际电气山口大吾获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091072.5，技术领域涉及：H01L21/31；该发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序产品是由山口大吾;佐野敦;桥本良知设计研发完成，并于2020-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序产品在说明书摘要公布了：本发明具有：a在第一温度下将包含对在表面形成有凹部的基板供给原料气体的工序、对基板供给第一含氮和氢气体的工序、以及对基板供给第二含氮和氢气体的工序的循环进行预定次数，从而使包含原料气体、第一含氮和氢气体、以及第二含氮和氢气体中的至少一种所含的元素的低聚物在基板的表面和凹部内生成并生长、流动，在基板的表面和凹部内形成含低聚物层的工序；以及b在第一温度以上的第二温度下，对在基板的表面和凹部内形成有含低聚物层的基板进行后处理，从而使在基板的表面和凹部内形成的含低聚物层改性，以埋入凹部内的方式形成将含低聚物层改性而成的膜的工序。
本发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序产品在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其特征在于，具有： a在第一温度下将包含同时地进行对在表面形成有凹部的基板供给原料气体的工序和对所述基板供给第一含氮和氢气体的工序的工序、以及对所述基板供给第二含氮和氢气体的工序的循环进行预定次数，从而使包含所述原料气体、所述第一含氮和氢气体、以及所述第二含氮和氢气体中的至少一种所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部内生成并生长、流动，在所述基板的表面和所述凹部内形成含低聚物层的工序；以及 b在所述第一温度以上的第二温度下，对在所述基板的表面和所述凹部内形成有所述含低聚物层的所述基板进行后处理，从而使在所述基板的表面和所述凹部内形成的所述含低聚物层改性，以埋入所述凹部内的方式形成将所述含低聚物层改性而成的膜的工序。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社国际电气，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号