三星电子株式会社金森宏治获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置及操作其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111724850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010008983.9，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权三维半导体存储器装置及操作其的方法是由金森宏治;金容锡;李炅奂;林濬熙设计研发完成，并于2020-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置及操作其的方法在说明书摘要公布了：提供三维半导体存储器装置及操作其的方法。一种三维半导体存储器装置包括多个字线块，所述多个字线块包括并联连接在位线与共源极线之间的多个单元串。所述多个单元串中的每个包括：多个存储器单元晶体管，沿垂直方向堆叠在基底上；多个地选择晶体管，串联连接在所述多个存储器单元晶体管与基底之间；以及串选择晶体管，位于所述多个存储器单元晶体管与位线之间。在所述多个单元串中的每个中，所述多个地选择晶体管中的至少一个具有第一阈值电压，并且所述多个地选择晶体管中的其余的地选择晶体管具有与第一阈值电压不同的第二阈值电压。
本发明授权三维半导体存储器装置及操作其的方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，包括多个字线块，所述多个字线块包括并联连接在位线与共源极线之间的多个单元串， 其中，所述多个单元串中的每个包括：多个存储器单元晶体管，沿垂直方向堆叠在基底上；多个地选择晶体管，串联连接在所述多个存储器单元晶体管与基底之间；以及串选择晶体管，位于所述多个存储器单元晶体管与位线之间， 其中，在所述多个字线块中的每个中，所述多个单元串的串选择晶体管彼此电隔离，并且所述多个地选择晶体管中的位于相同水平的地选择晶体管被共同地控制，并且 其中，在所述多个单元串中的每个中，所述多个地选择晶体管中的至少一个地选择晶体管具有第一阈值电压，并且所述多个地选择晶体管中的其余的地选择晶体管具有与第一阈值电压不同的第二阈值电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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