圣戈班卢米洛格集团伯纳德·博蒙特获国家专利权
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龙图腾网获悉圣戈班卢米洛格集团申请的专利n-共掺杂的半导体基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113874981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980091923.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权n-共掺杂的半导体基板是由伯纳德·博蒙特;让-皮埃尔·福列;文森特·热利;纳比尔·纳哈斯;弗洛里安·唐迪耶设计研发完成，并于2019-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本n-共掺杂的半导体基板在说明书摘要公布了：一种制造第13族氮化物，特别是GaN的单晶半导体材料的方法，其包括以下步骤：通过三维外延生长在起始基板上沉积至少一个单晶层，所述层包括由基面生长产生的区域和由被称为非基面的不同取向的面生长产生的区域；供应n‑掺杂剂气体，所述n‑掺杂剂气体包含选自周期表第16族化学元素的第一化学元素和选自周期表第14族化学元素的至少一种第二化学元素，使得由基面生长产生的区域中第二元素的浓度高于1.0×1017cm3，且由非基面生长产生的区域中第一元素的浓度低于2.0×1018cm3。
本发明授权n-共掺杂的半导体基板在权利要求书中公布了：1.一种第13族氮化物的单晶半导体材料的制造方法，其包括以下步骤： 通过三维外延生长在起始基板上沉积至少一个单晶层，所述单晶层包括由基面生长产生的区域，其具有垂直于由基面0001形成的生长前沿的方向的面；以及由被称为非基面的不同取向的面生长产生的区域，其具有不垂直于生长前沿方向的面；和 供应n-掺杂剂气体，所述n-掺杂剂气体包含选自周期表第16族化学元素的第一化学元素和选自周期表第14族化学元素的至少一种第二化学元素，使得由基面生长产生的区域中第二化学元素的浓度高于1.0×1017cm3，且由非基面生长产生的区域中第一化学元素的浓度低于2.0×1018cm3， 其中所述半导体材料具有介于0.5和5之间的硅+锗氧原子比，并且 其中所述沉积至少一个单晶层在以下条件下进行： 通过氢化物气相外延以低于450μmh的生长速率； 在910℃至1035℃之间的温度下； 在具有100和500托之间的残余压力的反应器中；以及 通过以介于13和25之间的V族前体与III族前体的摩尔流量比供应V族前体与III族前体。
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