中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910516691.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2019-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有鳍部；在衬底上形成伪栅结构，伪栅结构横跨鳍部；刻蚀伪栅结构两侧的鳍部，在鳍部内沟槽；在沟槽内填充满应力层；在应力层上形成层间介电层；刻蚀去除层间介电层以及部分厚度的应力层；在刻蚀后的应力层上形成导电层，本发明的形成方法使得形成的应力层和导电层之间的接触面积增大，从而降低了应力层和导电层之间的接触电阻，减少了半导体器件在使用的过程中由于接触电阻导致的发热现象，提高了半导体器件的使用性能的稳定性。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有鳍部； 在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部； 刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部，在所述鳍部内沟槽； 在所述沟槽内填充满应力层，所述应力层包括第一应力层、第二应力层和第三应力层，所述第一应力层和所述第三应力层中含有的锗的浓度都低于所述第二应力层中含有的锗的浓度； 在所述应力层上形成层间介电层； 刻蚀去除所述层间介电层以及部分厚度的所述应力层，刻蚀后的所述应力层的表面呈“W”型，其中，“W”型连接所述第一应力层、所述第二应力层以及所述第三应力层，所述第三应力层的顶部表面高于所述第二应力层的顶部表面，刻蚀所述应力层的时候能够选择性刻蚀所述第二应力层； 在刻蚀后的所述应力层上形成导电层。
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