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龙图腾网获悉灿芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120523280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511022923.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路是由宋嘉勋;岳庆华;郑锐设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路，属于启动电路设计技术领域，该种应用于超低功耗BGR电路的启动电路包括PMOS管P1‑P11，NMOS管N1‑N8，电阻R1‑R4，稳压电容C1、C2和双极结型pnp三极管Q1‑Q3。本发明的一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路，在BGR正常工作时关闭，仅消耗极小的功耗，且不止在起电阶段工作，降低了风险性。

本发明授权一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于超低功耗BGR电路的启动电路，其特征在于，该启动电路包括PMOS管P1-P11，NMOS管N1-N8，电阻R1-R4，稳压电容C1、C2和双极结型pnp三极管Q1-Q3； 该启动电路中，PMOS管P1的栅极与PMOS管P2，P3，P4，P5的栅极、PMOS管P9的漏极、NMOS管N6的漏极，以及稳压电容C1的负极相连；PMOS管P1的源极与电源电压AVDD相连，漏极与双极结型pnp三极管Q1的发射极、PMOS管P10的栅极相连；稳压电容C1的正极与电源电压AVDD相连；PMOS管P2的源极与电源电压AVDD相连，漏极与电阻R1的正极、PMOS管P11的栅极相连；电阻R1的负极与双极结型pnp三极管Q2的发射极相连；PMOS管P3的源极与电源电压AVDD相连，漏极与电阻R2的正极、稳压电容C2的正极相连；稳压电容C2的负极与地GND相连；电阻R2的负极与电阻R3的正极相连；电阻R3的负极与双极结型pnp三极管Q3的发射极相连；PMOS管P4的源极与电源电压AVDD相连，漏极与PMOS管P6的栅极、PMOS管P7的栅极，以及NMOS管N1的漏极相连；NMOS管N1的源极与NMOS管N2的漏极相连；NMOS管N2的源极与NMOS管N3的漏极相连；NMOS管N3的源极与NMOS管N4的漏极相连；NMOS管N4的源极与电阻R4的正极相连；电阻R4的负极与地GND相连；PMOS管P6的源极与电源电压AVDD相连，漏极与PMOS管P7的源极相连；PMOS管P7的漏极与NMOS管N8的栅极与漏极、NMOS管N6的栅极、PMOS管P11的漏极相连；PMOS管P8的源极与电源电压AVDD相连，PMOS管P8的栅极与漏极与PMOS管P9的栅极、NMOS管N5的漏极相连；PMOS管P9的源极与电源电压AVDD相连；PMOS管P5的源极与电源电压AVDD相连，漏极与PMOS管P10的源极和衬底、PMOS管P11的源极和衬底相连；PMOS管P10的漏极与NMOS管N7的漏极与栅极、NMOS管N5的栅极相连；所述NMOS管N5，N6，N7和N8的源极与地GND相连； 所述NMOS管N1，N2，N3和N4的栅极接地GND，且皆能正常开启提供高阻；同时，NMOS管N1，N2，N3和N4之间串联，用以提高总栅长来增大阻值； 所述双极结型pnp三极管Q1、Q2和Q3的集电极和基极均与地GND相连； 所述PMOS管P4的漏极与PMOS管P6的栅极、PMOS管P7的栅极，以及NMOS管N1的漏极相连，在电源AVDD上电时将NMOS管N6栅极电压迅速拉高的同时拉低节点VBAIS处的电压，从而快速启动BGR以减小振荡风险。

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