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龙图腾网获悉深圳众诚达应用材料股份有限公司申请的专利一种RPD镀膜陶瓷靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120504536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511003257.7，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种RPD镀膜陶瓷靶材及其制备方法是由周贤界;徐红星;卢晓鹏;关泽汉;刘杰;张志强;黄小玲;黄勇彪设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RPD镀膜陶瓷靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及靶材制备技术领域，提供了一种RPD镀膜陶瓷靶材及其制备方法。RPD镀膜陶瓷靶材包括用于蒸发镀膜的实心圆柱形靶材主体，靶材主体包括：靶芯，由第一陶瓷粉体制成；靶套，包围在靶芯的四周，靶套由第二陶瓷粉体制成，靶芯材料的蒸发率或升华率低于靶套材料的蒸发率或升华率。本申请靶材通过特殊结构设计，避免靶材外周烧滞残留或烧偏，促进均匀蒸发或升华，从而提高薄膜质量，同时减少残粉或残片掉落在坩埚内或坩埚与靶材主体间的缝隙中，减少开腔更换坩埚和卡靶开腔维护的频率，延长连续镀膜时间。此外还包括靶管，靶管套设在靶材主体的四周，用于阻挡Ar+等离子体飞溅到坩埚壁上，以防止坩埚材料蒸发，降低杂质引入风险。

本发明授权一种RPD镀膜陶瓷靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种RPD镀膜陶瓷靶材，其特征在于，所述RPD镀膜陶瓷靶材包括用于蒸发镀膜的实心圆柱形靶材主体，所述靶材主体包括： 靶芯，由第一陶瓷粉体制成； 靶套，包围在所述靶芯的四周，所述靶套由第二陶瓷粉体制成； 其中，所述靶芯材料的蒸发率低于所述靶套材料的蒸发率，或者所述靶芯材料的升华率低于所述靶套材料的升华率； 所述第一陶瓷粉体包括质量比为（50~100）∶（0~50）的第一氧化物粉和掺杂氧化物粉； 所述掺杂氧化物粉由所述第一氧化物粉和第二氧化物粉混合后煅烧而成，且所述第一氧化物粉和所述第二氧化物粉不同； 所述第一氧化物粉包括氧化铟粉、氧化锌粉、氧化锡粉中的至少一种； 所述第二氧化物粉包括氧化铟粉、氧化锡粉、氧化钨粉、氧化铝粉、氧化镓粉、氧化锆粉、氧化钇粉、氧化钽粉、氧化铌粉、氧化锑粉、氧化铜粉、氧化铈粉、氧化镧粉、氧化钪粉、氧化硅粉、氧化钼粉以及氧化铪粉中的至少一种； 所述第二陶瓷粉体包括质量比为（60~100）∶（0~40）的所述第一氧化物粉和所述掺杂氧化物粉。

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